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D3(Trimer): Hexamethylcyclotrisiloxane
 
 
D4(Tetramer)
: Octamethylcyclotetrasiloxane
D5(Pentamer)
: Decamethylcyclopentasiloxane
(D4~D20 환형고리형)
 
 

Cyclomethicone
D3(Trimer): Hexamethylcyclotrisiloxane
D4(Tetramer) :Octamethylcyclotetrasiloxane
D5(Pentamer) : Decamethylcyclopentasiloxane(D4~D20 환형고리형)

마이크로모터 및 직류전원, 싱크로스코프, 데시케이타, 항온조 및 클린룸 등에 적용되는
저분자 고리형 실록산의 측정 방법으로 밀폐 용기에 실리콘 실란트 1ml, 5ml를 넣고, 마이크로 모터를 구동시킨다.
회전을 정지할 때까지의 시간과 60℃하에서 측정한다.

이러한, 실험 결과에서 실리콘 실란트가 경화되면서 생성되는 부산물인 저분자 고리형 실록산이 접점 부위에 침착되어 절연물이 되어 오작동의 유발할 수 있으며, 또한 전기, 전자, 반도체 및 고정밀 산업분야 에서는 클린룸 내의 유기오염(organic contamination)에 대하여 많은 연구를 기울이고 있다.

이러한, 유기오염원인들이(organic contamination Sources) 제품 제조에 있어 제조 수율(Fabrication Yield)에 밀접한 관계가 있기 때문이다. LCD 및 PDP 생산공정의 클린룸 시공시에 비접점 장애 제품을 사용해 왔으나, 현재는 HEPA Filter(고효율 입자 공기필터)의 이음새 몰딩에도 실리콘 겔을 사용하여 왔다.

클린룸 환경에서 실리콘 계의 실란트 들이 발생하는 유기계의 부산물 가스 성분인 저분자 고리형 실록산이 LCD 및 PDP용의 유리기판의 표면을 오염 시킨다는 것이다. 이러한 저분자 고리형 실록산의 함유량을 정제 시킨 개량(CV: Control Volatile)클린룸용 실란트를 적용하고 있다. 일차적으로 GC-MS(Gas Chromatography 가스색층분석)로 저분자 실록산 3량체(D3) ~ 6량체(D6)에 대한 정량분석을 한 결과 일반 제품과 클린룸용 실란트가 1/100정도 차이를 보였으며, 일반 제품과 클린룸용 실란트의 경화 작용에 같이 방치된 LCD, PDP용 유리기판 표면위의 순수한 물방울의 접촉각을 측정함으로써 유기오염의 영향을 측정한 결과 실리콘 실란트의 배출가스에 노출된 유리기판의 접촉각은 저분자 실록산의 농도에 따라 비례 증가한다.

이와 같은 이유로 청청 클라스가 0.3마이크론의 입자를 여과하여야 하는 청청클라스수 10 과 ULSI공정을 위한 슈퍼 클린룸에서 실리콘 실란트를 사용해야 한다면 꼭 클린룸용 전용 CV제품을 사용해야만 한다.

또한 클린룰 환경에서는 실록산 이외에도 많은 활성 이온오염(Mobile Ionic contamination), 나트륨등 유기성분과 박테리아, 금속불순물, 수분증기, 정전현상(Static Charge)이 존재함으로 종합적인 오염원인을 규명하는 것이 중요하다 할 수 있다.